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Deep UV 영역에서 투명하며 안정한 PHST base polymer가 ArF 영역에서는 빛을 흡수함으로서 더 이상 resist로서의 기능을 할 수가 없게 되어 새로운 ArF 용 resist 재료가 필요하게 되었다. 일반적으로 ArF resist 용 고분자가 갖추어야할 조건들을 살펴보면 투명성, dry 에칭 내성, 좋은 접착특성 및 전형적인 developer에 현상되어야 한다. 일반적으로 aromatic ring이 에칭 내성이 좋으나 193 nm에서 흡광도를갖기 때문에 alicyclic group 등을 metha- crylate polymer에 도입하는 형태가 보고되어지고 있다. (출처 : 세미파크)